IBM и Samsung најавија нова технологија на чипови со двојно подобри перформанси – Makedonija News

IBM и Samsung најавија нова технологија на чипови со двојно подобри перформанси

IBM и Samsung гo објавија својот најнов напредок во дизајнот на полупроводници, односно нов начин за вертикално сложување на транзистори на чип (наместо хоризонтално сложување на површината на полупроводниците).

Новиот таканаречен VTFET (Vertical Transport Field Effect Transistors) е замислен како наследник на технологијата FinFET што се користи денес за некои од најнапредните чипови на пазарот и може да обезбеди уште погуста транзисторска структура на чиповите од онаа што се користи денес.

Во основа, со овој нов дизајн, транзисторите ќе се натрупуваат вертикално, овозможувајќи електричната енергија да тече нагоре и надолу низ транзисторите наместо ширината на транзисторите, како што е случајот со дизајнот што се користи во повеќето сегашни чипови.

Вертикалните дизајни за полупроводници се тренд веќе некое време, а самата технологија FinFET веќе нуди дел од придобивките од тој дизајн.

И додека сè уште не сме блиску до користење на VTFET дизајнот во потрошувачките чипови, двете компании изнесуваат големи тврдења, забележувајќи дека VTFET чиповите можат да дадат „двократно зголемување на перформансите или 85 проценти помала потрошувачка на енергија“, во споредба со сегашните FinFET дизајнирани чипови.

Покрај тоа, IBM и Samsung тврдат дека технологијата VTFET ќе помогне во одржувањето на целта на законот на Мур за постојано зголемување на бројот на транзистори во иднина.

Двете компании наведуваат и можни примени за оваа нова технологија, како што е идејата дека батериите на мобилните телефони траат повеќе од една недела без полнење, наместо само ден или два, како и помалку енергетски интензивно рударење криптовалути и уште помоќни IoT уреди, па дури и вселенски летала.

Social profiles